測量方法
鑒別可控硅三個較的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個較之間的電阻值就可以。
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制較之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制較正反向都不通） 。
控制較與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂戚^二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制較反向電阻比較小，并不能說明控制較特性不好。另外，在測量控制較正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制較反向擊穿。
若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制較短路，或控制較與陰極反向短路，或控制較與陰極斷路，說明元件已損壞。
可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等?？煽毓韬推渌雽w器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、軍事科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。
電流
⒈ 額定通態電流（IT）即較大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
⒉反向重復峰值電壓（VRRM）或斷態重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。
⒊ 控制較觸發電流（IGT），俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。
4，在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。
普通晶閘管較基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路。以較簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制較沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制較外加觸發脈沖Ug時，晶閘管被觸發導通。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制較上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內晶閘管導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。
1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統。額定電流：IA小于2A。
2：大；中功率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。
3：大功率高頻可控硅通常用作工業中；高頻熔煉爐等。
結構原件
可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP
管和一個NPN管所組成。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管
。這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作
快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優點。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相
似，也有三個電極。但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制較外，另外兩個電極通常卻不再
叫做陽極和陰極，而統稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反
接在一起畫成的，它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有
用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規格、型號、外形以及電極引腳排列依生產廠家不同而
有所不同，但其電極引腳多數是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時，電極引腳向下，面
對標有字符的一面)。市場上較常見的幾種塑封外形結構雙向可控硅的外形及電極引腳排列。
關于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT
在處于截止狀態的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時，內部電容的電流會產生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導通。這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。
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